三星电子量产业内首款20纳米8Gb GDDR5
全球存储行业领导者三星电子今日宣布，已开始量产业内首款20纳米8Gb GDDR5显卡内存。
此次推出的8Gb GDDR5显卡内存，与4Gb GDDR5（数据传输速率为7Gbps）相比，在容量和速度上都有飞跃性的提高。单颗容量8Gb，数据传输速率8Gbps，均最先达到业内最高水平。
显卡内存主要用于处理视频和图像数据，速度比一般DRAM芯片快数倍以上。随着近来3D游戏和超高画质视频的普及，市场对大容量高性能显卡内存的需求也日益上升。
此次推出的8Gb GDDR5显存，仅仅8颗芯片即可满足游戏机显卡8GB的最大需求，是一款名副其实的大容量DRAM产品。不仅如此，笔记本电脑2GB的显存配置仅需两颗芯片即可，与单颗容量为4Gb的显存相比，所占的芯片面积缩小一半，便于设计更为轻巧的超薄笔记本。此外，8Gb GDDR5显存高效的数据处理性能，不仅能提升显示器的分辨率，并且通过缩短运算时间缩减系统能耗。
新显存单颗颗粒每个引脚的输入/输出数据传输率高达8Gbps，是笔记本电脑中广泛使用的DDR3显存的4倍以上。每颗颗粒位宽为32bit，两颗颗粒每秒可以处理64GB（相当于12张全高清DVD的容量）的图像数据，能够更加顺畅清晰的呈现超高清视频图像。
8Gb GDDR5显存的推出，使三星电子成为业内唯一一个在DRAM全线产品中，均采用20纳米工艺量产单颗容量高达8Gb内存芯片的企业。继去年通过推出服务器用和移动DRAM产品抢滩高端市场之后，此次则瞄准显卡和笔记本等入门级IT市场，积极拓展业务范围。
三星电子存储芯片销售及市场营销负责人崔周善执行副总裁表示：“我们期望新推出的8Gb GDDR5显存，可以为游戏机和笔记本电脑厂家提供最佳的显存解决方案。今后，我们将继续扩大20纳米DRAM产品的生产规模，满足全球客户不断增长的需求，并进一步推进高端内存市场的发展。”
今后，三星电子不仅将面向高端市场推出单颗容量8Gb以上的超大容量DRAM产品，还将推出采用20纳米工艺的6Gb和4Gb DRAM系列产品，不断提高全球DRAM市场中20纳米DRAM的市场占有率。
